a. Por material: transistores de silicio, transistores de germanio
b. Por estructura: NPN, PNP. (Ver Figura 2)
do. Por función: Transistores de conmutación, transistores de potencia, transistores Darlington, fototransistores, etc.
d. Por potencia: transistores de baja-potencia, transistores de potencia-media, transistores de potencia-alta
mi. Por frecuencia de funcionamiento: transistores de baja-frecuencia, transistores de alta-frecuencia, transistores de overclocking
F. Por estructura y proceso de fabricación: Transistores de aleación, transistores planos.
gramo. Por método de montaje: transistores-de orificio pasante, transistores-de montaje en superficie
Parámetros del producto
Frecuencia característica: cuando f=fT, el transistor pierde por completo su función de amplificación actual. Si la frecuencia de funcionamiento es mayor que fT, el circuito no funcionará correctamente.
fT se denomina producto de ganancia-ancho de banda, es decir, fT=fo. Si se conocen la frecuencia de funcionamiento actual fo y el factor de amplificación de corriente de alta-frecuencia del transistor, se puede obtener la frecuencia característica fT. A medida que aumenta la frecuencia de funcionamiento, el factor de amplificación disminuye. fT también se puede definir como la frecuencia cuando=1.
Voltaje y corriente: este parámetro se puede utilizar para especificar el rango operativo de voltaje y corriente del transistor.
hFE: Factor de amplificación actual.
VCEO: voltaje de ruptura inversa del emisor - del colector, que representa el voltaje de saturación en la saturación crítica.
PCM: Máxima disipación de potencia permitida.
Paquete: Especifica la forma física del transistor. Si todos los demás parámetros son correctos, un paquete diferente evitará que el componente se implemente en la placa de circuito.
